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原创 曙光已现,国产浸润式DUV光刻机,快要来了?

但是大家也清楚,目前国产光刻机的水平,与全球顶尖水平确实有差距。如下图所示,目前国产上海微电子最强的光刻机,其节点还在90纳米,处于低端水平。而这个90nm,其实也就是干式DUV光刻机的水平。

但是大家也清楚,目前国产光刻机的水平,与全球顶尖水平确实有差距。

如下图所示,目前国产上海微电子最强的光刻机,其节点还在90纳米,处于低端水平。而这个90nm,其实也就是干式DUV光刻机的水平。

原创             曙光已现,国产浸润式DUV光刻机,快要来了?

而在干式DUV之上,还有浸润式DUV,然后再是EUV光刻机。

不同的光刻机,对应着不同的光刻工艺,也对应着不同的芯片制造水平,这个一一对应关系,如下图所示。

浸润式DUV属于第五代,可以制造7nm芯片,据说最终还可以制造5nm芯片。但5nm之下,就必须用到EUV光刻机了。

原创             曙光已现,国产浸润式DUV光刻机,快要来了?

目前ASML的EUV光刻机,不卖给我们,高端DUV光刻机都限售,所以对于我们而言,不说研发出EUV,至少要先研发出浸润式DUV光刻机来,这样制造5nm芯片就不用愁了。

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而从现在的情况来看,浸润式DUV离我们应该不远了。

浸润式DUV实际上与干式DUV差别不大,只是在晶圆上加了一层水,让光线进入水之后折射,那么193nm的波长,等效于134nm,这样波长短了,分辨率就提高了。

原创             曙光已现,国产浸润式DUV光刻机,快要来了?

所以光源、透镜、工作台之类的几乎都是一样的,就是在工作台上面,加了一层浸润式系统,也就是一层水,多了这么一个核心环节。

而早在几年前,国内就传出,已经在研发浸润式系统,并且有了一定突破,而如今几年时间过去了,我觉得应该是有突破的。

去年国内曝光了一台国产氟化氩光刻机,这台光刻机采用193nm波长,分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm,已经是干式DUV的最高水平了。

原创             曙光已现,国产浸润式DUV光刻机,快要来了?

所以,合理推测,接下来浸润式DUV,离我们真的近了,一旦有了浸润式DUV,那么我们用自己的光刻机,也能够制造5nm芯片,那还担心什么?

另外在EUV这个档次,国内在研发EBL电子束技术,也在研发纳米压印技术,并且都有了进展,未来绕过EUV,也是有可能的,所以国产光刻机,真的到了爆发的前夜了,不信大家拭目以待吧。

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作者: wczz1314

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